Титан Gr1 покрытия вакуума брызгая трубка целится 133OD*125ID*840L

Титан Gr1 ASTM B861-06 цели трубки титана брызгать цели покрытия вакуума 133OD*125ID*840L

Тенденция разработки технологий материалов материала цели близко связана с тенденцией разработки технологий тонкого фильма идущей дальше по потоку индустрии применения, вместе с применением улучшения индустрии технического на продуктах фильма или компоненты, технология цели должны быть изменены также, значительно для того чтобы заменить первоначальный плоский экран (FPD) в последние годы, который главным образом составлен мониторов компьютера трубки катодного луча (CRT) и рынка телевидения. Оно также значительно увеличит технологию и рыночный спрос материала цели ITO. В дополнение к технологии памяти. Требование для высокой плотности, крупнотоннажных жестких дисков и дисков высокой плотности стираемых продолжается увеличить. Все из этих результат в изменении требования индустрии применения для материалов цели. Ниже мы введем основные области применения материалов цели и направление развития материалов цели в этих полях соответственно.
Среди всех индустрий применения, индустрия полупроводника имеет большинств строгие качественные требования для цели брызгая фильмы. Сегодня, силиконовые чипы 12 дюймов (epistaxis 300) были сделаны. Соединения сжимают в ширине. Изготовители вафли требуют крупноразмерного, особой чистоты, низкой сегрегации и точного зерна, которое требует лучшей микроструктуры изготовленной цели. Кристаллические диаметр частицы и единообразие материала цели были рассмотрены как ключевые факторы влияя на тариф низложения тонких фильмов. К тому же, очищенность фильма значительно связана с очищенностью материала цели. В прошлом, очищенность 99,995% цели меди (4N5) может мочь соотвествовать процесса 0.35pm изготовителей полупроводника, но она не может соотвествовать процесса 0.25um, и 0.18um и даже процесс 0,13 m. Очищенность необходима материала цели будет над 5 или даже 6 N. Сравнивать с алюминием, медью имеет высокоомное к электрической миграции и более низкая резистивность, может встретить! Процесс проводника необходим для проводки субмикрона под 0.25um, но приносит с ним другие проблемы: низкая прочность склеивания меди к органическим диэлектрическим материалам. К тому же, легко прореагировать, которое водит к корозии и разъединению медного соединения в процессе пользы. Для того чтобы разрешить эти проблемы, вентильному слою нужно быть помещенным между медью и слоем диэлектрика. Материал барьера металлы и смеси с высокой точкой плавления и высокой резистивностью, поэтому необходима, что будет толщина вентильного слоя чем 50 nm, и проведение прилипания с медными и диэлектрическими материалами хорошо. Материалы барьера для медных соединений и алюминиевых соединений другие. Новым материалам цели нужно быть начатым. Материал цели для медного вентильного слоя соединения включает животики, w, TaSi, WSi, etc. но животики и w тугоплавкие металлы. Относительно трудно сделать, и молибден, хромий и другое золото изучаются как альтернативный материал.

Особенности

1. Низкие плотность и высокопрочный
2. подгонянный согласно чертежам требуемым клиентами
3. сильная коррозионная устойчивость
4. сильное сопротивление жары
5. сопротивление низкой температуры
6. сопротивление жары